Wafersäge

Das Institut für Halbleiteroptik und funktionelle Grenzflächen (IHFG) hat InAs-Quantenpunktstrukturen (QD) entwickelt, die im C-Band des Telekommunikationsbereichs emittieren und auf metamorphen Pufferschichten (MMBs) aus InGaAs auf einer GaAs-Plattform basieren. Das Wachstum dieser QD-Strukturen ist derzeit für kleine Substrate (15 × 15 mm2 Proben) optimiert, aber es werden Anstrengungen unternommen, um es auf volle 4-Zoll-Wafer zu skalieren. Das IHFG möchte den intrinsischen Wachstumsgradienten über den Wafer hinweg nutzen, um photonische Kavitäten (insbesondere Bullseye-Kavitäten) zu entwickeln, die bei verschiedenen Wellenlängen für verschiedene Quantenanwendungen arbeiten. In einem solchen Fall würde die Herstellung der Bullseye-Kavität nur einen einzigen Epitaxie-Wachstumsschritt erfordern, gefolgt von einer Wafer-Bonding-Verbindung mit einem Silizium-Trägerwafer, einer Membranbearbeitung und einem hochpräzisen Dicing, um zahlreiche Chips herzustellen, die einen Bereich von Kavitätenwellenlängen abdecken. Darüber hinaus müssen für die Herstellung von Wellenleitern, in die Telekommunikations-QDs eingebettet sind, die Facetten der Wellenleiter mit einem duktilen Schneideverfahren vorbereitet werden, um optisch glatte Oberflächen zu erzielen, die für eine effiziente Lichtkopplung geeignet sind. Für die Integration der QD-Membran in photonische integrierte Plattformen auf Siliziumbasis zur Realisierung von III-V/Si-basierten quantenphotonischen integrierten Schaltungen (QPICs) muss die integrierte Schaltung auf Siliziumbasis geschnitten werden. Für alle genannten Anwendungen ist eine hochpräzise Trennsäge unerlässlich.