ICPCVD-Beschichtungsanlage

Bekanntmachungs-ID: CXS0YYPYTYUAN6N8

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Ausgeschrieben wird eine Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung mittels induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-CVD). Die Anlage soll ein Kernstück der waferprozessierenden Infrastruktur darstellen
und wird im Reinraum der Universität Paderborn aufgestellt. Die Entwicklung von waferskaligen Bauelementen stellt große Anforderungen an die Wafergröße (bis zu 8 Zoll), die Strukturgröße und die Strukturhomogenitäten. Die bei niedrigen Abscheidungsdrücken und -temperaturen (?20°C) mittels der Anlage abgeschiedenen Schichten sollen von hoher Qualität mit geringen Schäden und einer hohen nasschemischen Ätzbeständigkeit sein und eine hohe Konformität bzw. Stufenabdeckung aufweisen. Bei den abzuscheidenden Schichten soll es sich unter anderem um SiO2, Si3N4, SiOxNy, a-Si:H und SiC handeln.

Geliefert, installiert und in Betrieb genommen werden soll eine Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung mittels induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-CVD).
Die detaillierte Leistungsbeschreibung entnehmen Sie bitte den Vergabeunterlagen (Kriterienkatalog)